| 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法; 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法 | |
| 黄永光; 朱小宁; 刘德伟; 王熙元; 马丽; 朱洪亮 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池的结构,包括：一n型硅衬底；一黑硅层,该黑硅层制作在n型硅衬底上；一i型氢化非晶硅层,该i型氢化非晶硅层制作在黑硅层上；一p型氢化非晶硅层,该p型氢化非晶硅层制作在i型氢化非晶硅层上；一n+型重掺杂层,该n+型重掺杂层制作在n型硅衬底的背面,形成广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN102280513A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110119980.3 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23478 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 黄永光,朱小宁,刘德伟,等. 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法, 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法. CN102280513A. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构（469KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment