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广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法; 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法
黄永光; 朱小宁; 刘德伟; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池的结构,包括:一n型硅衬底;一黑硅层,该黑硅层制作在n型硅衬底上;一i型氢化非晶硅层,该i型氢化非晶硅层制作在黑硅层上;一p型氢化非晶硅层,该p型氢化非晶硅层制作在i型氢化非晶硅层上;一n+型重掺杂层,该n+型重掺杂层制作在n型硅衬底的背面,形成广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Patent NumberCN102280513A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110119980.3
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23478
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
黄永光,朱小宁,刘德伟,等. 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法, 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法. CN102280513A.
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广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构(469KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
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