| 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法; 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法 |
| 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法,包括如下步骤：步骤1：在n-InP衬底上依次外延生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层和p-n反型层；步骤2：在InGaAsP上波导层和p-n反型层上刻蚀出复耦合型光栅；步骤3：在复耦合型光栅上二次外延生长出第一p-InP盖层、刻蚀停止层、第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层；步骤4：在第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层上腐蚀出脊型波导结构,并大面积淀积二氧化硅层；步骤5：刻蚀掉中间的脊型波导结构上面的二氧化硅层,形成窗口；步骤6：在脊型波导结构和窗口的表面溅射出P面电极并蒸发出N面电极。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN102364772A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110355383.0
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23475
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
于红艳,周旭亮,邵永波,等. 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法, 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法. CN102364772A.
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