| 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法; 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法 | |
| 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法,包括如下步骤：步骤1：在n-InP衬底上依次外延生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层和p-n反型层；步骤2：在InGaAsP上波导层和p-n反型层上刻蚀出复耦合型光栅；步骤3：在复耦合型光栅上二次外延生长出第一p-InP盖层、刻蚀停止层、第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层；步骤4：在第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层上腐蚀出脊型波导结构,并大面积淀积二氧化硅层；步骤5：刻蚀掉中间的脊型波导结构上面的二氧化硅层,形成窗口；步骤6：在脊型波导结构和窗口的表面溅射出P面电极并蒸发出N面电极。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN102364772A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110355383.0 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23475 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 于红艳,周旭亮,邵永波,等. 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法, 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法. CN102364772A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法.p（431KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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