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用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法; 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法
李新坤; 金鹏; 王占国
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种用于多电流注入区器件的倒装焊结构,该倒装焊结构包括:一金属热沉;一导热绝缘层,该导热绝缘层制作在金属热沉上;一金属图形层,该金属图形层制作在导热绝缘层的表面,该金属图形层具有两个或两个以上分区;一半导体器件芯片,该半导体器件芯片焊接在金属图形层上,该半导体器件芯片具有两个或两个以上电流注入区。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Patent NumberCN102427108A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110361688.2
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23470
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
李新坤,金鹏,王占国. 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法, 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法. CN102427108A.
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