| 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法; 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法 | |
| 李新坤; 金鹏; 王占国 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种用于多电流注入区器件的倒装焊结构,该倒装焊结构包括：一金属热沉；一导热绝缘层,该导热绝缘层制作在金属热沉上；一金属图形层,该金属图形层制作在导热绝缘层的表面,该金属图形层具有两个或两个以上分区；一半导体器件芯片,该半导体器件芯片焊接在金属图形层上,该半导体器件芯片具有两个或两个以上电流注入区。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN102427108A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110361688.2 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23470 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李新坤,金鹏,王占国. 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法, 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法. CN102427108A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作（630KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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