| 选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法; 选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法 |
| 张灿; 朱洪亮; 梁松; 马丽
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 一种选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法,包括如下步骤：步骤1：在InP衬底上制作两条介质掩膜图形,该两条介质掩膜图形分别包括A段、B段和过渡区；步骤2：在制作有介质掩膜图形的衬底上外延生长多量子阱有源区；步骤3：在多量子阱有源区上制作均匀光栅；步骤4：腐蚀去掉介质掩膜图形对应的介质掩模,在光栅层上依次生长InP包层和电接触层；步骤5：在介质掩膜图形的A段和B段之间刻蚀电隔离区,刻蚀深度到达InP包层的表面；步骤6：电接触层上刻蚀脊波导结构；步骤7：在脊波导结构上蒸镀正面电极；步骤8：将InP衬底减薄,在减薄的InP衬底背面蒸镀背面电极；步骤9：在管芯一端蒸镀抗反射薄膜,另一端蒸镀高反射膜,完成自脉动器件管芯的制作。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
|
| 专利号 | CN102496853A
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN201110415079.0
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23469
|
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
张灿,朱洪亮,梁松,等. 选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法, 选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法. CN102496853A.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论