| 选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法; 选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法 | |
| 张灿; 朱洪亮; 梁松; 马丽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法,包括如下步骤：步骤1：在InP衬底上制作两条介质掩膜图形,该两条介质掩膜图形分别包括A段、B段和过渡区；步骤2：在制作有介质掩膜图形的衬底上外延生长多量子阱有源区；步骤3：在多量子阱有源区上制作均匀光栅；步骤4：腐蚀去掉介质掩膜图形对应的介质掩模,在光栅层上依次生长InP包层和电接触层；步骤5：在介质掩膜图形的A段和B段之间刻蚀电隔离区,刻蚀深度到达InP包层的表面；步骤6：电接触层上刻蚀脊波导结构；步骤7：在脊波导结构上蒸镀正面电极；步骤8：将InP衬底减薄,在减薄的InP衬底背面蒸镀背面电极；步骤9：在管芯一端蒸镀抗反射薄膜,另一端蒸镀高反射膜,完成自脉动器件管芯的制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN102496853A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110415079.0 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23469 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张灿,朱洪亮,梁松,等. 选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法, 选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法. CN102496853A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法（396KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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