| 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法; 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法 | |
| 尹志岗; 张兴旺; 吴金良; 付振; 张汉 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种增强型半导体-金属复合结构磁场传感器,包括：一绝缘衬底；一半导体材料层,为条状结构,制作在绝缘衬底上；两条金属电流引线,制作在绝缘衬底上,其一端与半导体材料层的一侧连接；两条金属电压引线,制作在绝缘衬底上,其一端与半导体材料层的一侧连接,并位于两条金属电流引线之间；一金属分流器,制作在绝缘衬底上,位于半导体材料层的一侧并与之连接；一绝缘层,制作在半导体材料层上；一永磁层,制作在绝缘保护层上,该永磁层具有垂直磁各向异性；一保护层制作在永磁层上。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN102520377A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110459389.2 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23468 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 尹志岗,张兴旺,吴金良,等. 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法, 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法. CN102520377A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其（481KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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