| 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法; 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法 | |
| 陈微; 周文君; 刘安金; 付非亚; 张建心; 渠红伟; 郑婉华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法,包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次生长下限制层、有源区和上限制层,形成横向波导结构；步骤3：采用感应耦合等离子体刻蚀的方法对上限制层进行刻蚀,在上限制层上形成周期性的条状结构,该条状结构的一部分为条状电流注入区,其余部分为光场调制区,结合这两个区便能实现侧向模式的调控；步骤4：在条状电流注入区的上面制作电极实现电流的选择性注入；步骤5：将衬底减薄,改善电流注入特性；步骤6：在衬底的背面制作背面电极,完成器件的制作。 |
| metadata_83 | 纳米光电子实验室 |
| Patent Number | CN102142657A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110049791.3 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23459 |
| Collection | 纳米光电子实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陈微,周文君,刘安金,等. 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法, 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法. CN102142657A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导（465KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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