增强纳米三明治品质因子的结构; 增强纳米三明治品质因子的结构 | |
付非亚; 王宇飞; 晏新宇; 刘安金; 周文君; 郑婉华 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
摘要 | 一种增强纳米三明治品质因子的结构,包括:一下金属层;一介质层,该介质层制作在下金属层上;一上金属层,该上金属层制作在介质层上;其是通过降低纳米三明治腔体的非辐射损耗的途径,提高纳米三明治腔体品质因子。 |
部门归属 | 纳米光电子实验室 |
专利号 | CN102166845A |
语种 | 中文 |
专利状态 | 公开 |
申请号 | CN201110022714.9 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23455 |
专题 | 纳米光电子实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 付非亚,王宇飞,晏新宇,等. 增强纳米三明治品质因子的结构, 增强纳米三明治品质因子的结构. CN102166845A. |
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