| 多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法; 多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法 |
| 韩伟静; 俞育德; 李运涛; 任鲁风; 周晓光; 于军; 孙英男
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法,包括如下步骤：步骤1：取一衬底,清洗,去除有机和无机杂质；步骤2：前烘,对衬底进行真空干燥；步骤3：在经过真空干燥的衬底表面蒸镀铝膜；步骤4：将表面镀有铝膜的衬底放入电解液中,进行第一次阳极氧化；步骤5：将第一次阳极氧化的衬底用磷酸和铬酸混合液浸泡,去除第一次阳极氧化产生的氧化铝膜,在铝膜的表面形成活性点；步骤6：对该铝膜进行第二次阳极氧化及扩孔处理,在铝膜的表面活性点处形成穿孔,得到多孔阳极氧化铝阵列芯片；步骤7：用等离子体处理该芯片表面；步骤8：将双官能团分子共价结合在该芯片表面,完成多孔阳极氧化铝生物芯片的制作。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110059461.2
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23429
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
韩伟静,俞育德,李运涛,等. 多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法, 多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法.
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