微电极阵列传感器; 微电极阵列传感器 | |
汤戎昱; 裴为华; 归强; 李雷; 陈弘达 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种微电极阵列传感器,包括:一衬底,该衬底上面的两侧分别有一第一反型区和第二反型区;一源极,制作在第一反型区内,该源极有一引出导线;一输出极,制作在第二反型区内,该输出极有一引出导线;一栅氧层,该栅氧层制作在衬底的表面,并暴露出源极和输出极;多组电极功能区,制作在栅氧层上,源极和输出极之间,该多组电极功能区均有引出导线;一绝缘层,该绝缘层覆盖于栅氧层及多组电极功能区的表面。 |
metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201110430312.2 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23413 |
Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 汤戎昱,裴为华,归强,等. 微电极阵列传感器, 微电极阵列传感器. |
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微电极阵列传感器.pdf(476KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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