SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
微电极阵列传感器; 微电极阵列传感器
汤戎昱; 裴为华; 归强; 李雷; 陈弘达
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种微电极阵列传感器,包括:一衬底,该衬底上面的两侧分别有一第一反型区和第二反型区;一源极,制作在第一反型区内,该源极有一引出导线;一输出极,制作在第二反型区内,该输出极有一引出导线;一栅氧层,该栅氧层制作在衬底的表面,并暴露出源极和输出极;多组电极功能区,制作在栅氧层上,源极和输出极之间,该多组电极功能区均有引出导线;一绝缘层,该绝缘层覆盖于栅氧层及多组电极功能区的表面。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110430312.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23413
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
汤戎昱,裴为华,归强,等. 微电极阵列传感器, 微电极阵列传感器.
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