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深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法; 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法
毛雪; 韩培德
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器,包括:一硅或SOI衬底;一第一掺杂层,制作在硅或SOI衬底上;一第二掺杂层,制作在第一掺杂层上;一迎光面介质钝化层,制作在第二掺杂层上;一第一金属电极,为E字形结构,该第一金属电极制作在第二掺杂层上;一第二金属电极,为E字形结构,该第二金属电极制作在第一掺杂层上。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Language中文
Status公开
Application Number CN201110384199.9
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23410
Collection集成光电子学国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
毛雪,韩培德. 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法, 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法.
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深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备(560KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
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