| 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法; 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法 |
| 毛雪; 韩培德
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器,包括：一硅或SOI衬底；一第一掺杂层,制作在硅或SOI衬底上；一第二掺杂层,制作在第一掺杂层上；一迎光面介质钝化层,制作在第二掺杂层上；一第一金属电极,为E字形结构,该第一金属电极制作在第二掺杂层上；一第二金属电极,为E字形结构,该第二金属电极制作在第一掺杂层上。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110384199.9
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23410
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
毛雪,韩培德. 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法, 深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法.
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