| 半导体激光二极管发光单元及器件; 半导体激光二极管发光单元及器件 | |
| 郑凯; 王俊; 熊聪; 马骁宇 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种半导体激光二极管发光单元及器件。该发光单元输出激光的功率大于0.2W,其结构自下往上包括：第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层,其中：第一限制层和第二限制层,用于形成PN结进行载流子输入；第一波导层和第二波导层的厚度均介于400～600nm之间,用于形成激光传输的通路；量子阱层,用于作为有源区产生激光。本发明通过增加发光单元中波导层的厚度,能够有效地提高半导体激光二极管的COD阈值。 |
| metadata_83 | 光电子器件国家工程中心 |
| Application Date | 2011-01-31 |
| Patent Number | CN102130423A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110033774.0 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23404 |
| Collection | 光电子器件国家工程中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郑凯,王俊,熊聪,等. 半导体激光二极管发光单元及器件, 半导体激光二极管发光单元及器件. CN102130423A. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 半导体激光二极管发光单元及器件.pdf（748KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment