| 半导体激光二极管发光单元及器件; 半导体激光二极管发光单元及器件 |
| 郑凯; 王俊; 熊聪; 马骁宇
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光二极管发光单元及器件。该发光单元输出激光的功率大于0.2W,其结构自下往上包括：第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层,其中：第一限制层和第二限制层,用于形成PN结进行载流子输入；第一波导层和第二波导层的厚度均介于400～600nm之间,用于形成激光传输的通路；量子阱层,用于作为有源区产生激光。本发明通过增加发光单元中波导层的厚度,能够有效地提高半导体激光二极管的COD阈值。 |
| 部门归属 | 光电子器件国家工程中心
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| 申请日期 | 2011-01-31
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| 专利号 | CN102130423A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110033774.0
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23404
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| 专题 | 光电子器件国家工程中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郑凯,王俊,熊聪,等. 半导体激光二极管发光单元及器件, 半导体激光二极管发光单元及器件. CN102130423A.
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