| 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构; 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构 | |
| 祁琼; 熊聪; 王俊; 郑凯; 刘素平; 马骁宇 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明一种降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构,包括：一衬底；一N型限制层,该N型限制层制作在衬底上；一N型波导层,该N型波导层制作在N型限制层上；一量子阱层,该量子阱层制作在N型波导层上；一P型波导层,该P型波导层制作在量子阱层上；一P型限制层,该P型限制层制作在P型波导层上。 |
| metadata_83 | 光电子器件国家工程中心 |
| Application Date | 2011-03-17 |
| Patent Number | CN102163804A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110064481.9 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23401 |
| Collection | 光电子器件国家工程中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 祁琼,熊聪,王俊,等. 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构, 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构. CN102163804A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构（279KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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