| 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法; 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 | |
| 李越强; 王晓东; 徐晓娜; 刘雯; 陈燕玲; 杨富华 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-09-07 ; 2011-07-27 ; 2012-09-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法,该存储器利用量子点作为载流子储存单元,一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内,利用耗尽区实现存储器的两种操作,“写入”和“存储”。一个二维电子气(2DEG)沟道层位于量子点层之下,p-n结耗尽区之外,通过其实现存储器的“读出”和“擦除”操作。本发明结构简单,制备工艺简单有效,综合了目前市场上主流存储器,即动态随机存储器(DRAM)和闪存的优点,具有读、写、擦除速度快,可实现非挥发性存储,寿命长,耗电少,工作电压较低等优点,并且也是一种实现高速逻辑的可行方法。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 申请日期 | 2010-10-20 |
| 专利号 | CN102136492A |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010520266.0 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23353 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李越强,王晓东,徐晓娜,等. 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法, 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法. CN102136492A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法（572KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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