| 基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法; 基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法 |
| 毛旭; 杨晋玲; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-07
; 2011-07-20
; 2012-09-07
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法,通过选用富锡Sn合金成分Sn＝54％-71％,设计金锡厚度分别小于2.1μm和0.7μm,在一定压强、温度和时间内进行了金锡合金键合,形成了以具有高维氏硬度的AuSn2相(即ε相)为主的中间层,实现了低成本、高键合强度的圆片级低温封装方法。键合温度在140-310℃范围内,可实现高达20-64MPa的键合强度。这一低成本、高键合强度的圆片级低温封装方法可应用于任意基片上器件的封装。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 申请日期 | 2010-12-23
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| 专利号 | CN102130026A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010601975.1
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23352
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
毛旭,杨晋玲,杨富华. 基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法, 基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法. CN102130026A.
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