利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法; 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 | |
颜伟; 杜彦东; 韩伟华; 杨富华 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-09-07 ; 2011-08-17 ; 2012-09-07 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法,包括如下步骤:步骤1:在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层;步骤2:在介质钝化层上涂覆抗蚀剂;步骤3:利用光子束超衍射纳米加工技术,在抗蚀剂上曝光,显影,定影,形成栅足图形;步骤4:用RIE刻蚀技术,将栅足图形下面的介质钝化层刻蚀,形成沟槽;步骤5:将残余的抗蚀剂洗去,在介质钝化层上涂覆光刻胶;步骤6:利用光子束超衍射纳米加工技术,在光刻胶上曝光,显影,定影,形成栅头图形;步骤7:在光刻胶上蒸发栅极金属;步骤8:去除光刻胶,在介质钝化层的沟槽和栅头图形上形成三维T型的金属电极。 |
metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
Application Date | 2010-12-15 |
Patent Number | CN102157361A |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010605875.6 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23351 |
Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 颜伟,杜彦东,韩伟华,等. 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法, 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法. CN102157361A. |
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利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极(370KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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