| 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法; 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 | |
| 颜伟; 杜彦东; 韩伟华; 杨富华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-07 ; 2011-08-17 ; 2012-09-07 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法,包括如下步骤：步骤1：在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层；步骤2：在介质钝化层上涂覆抗蚀剂；步骤3：利用光子束超衍射纳米加工技术,在抗蚀剂上曝光,显影,定影,形成栅足图形；步骤4：用RIE刻蚀技术,将栅足图形下面的介质钝化层刻蚀,形成沟槽；步骤5：将残余的抗蚀剂洗去,在介质钝化层上涂覆光刻胶；步骤6：利用光子束超衍射纳米加工技术,在光刻胶上曝光,显影,定影,形成栅头图形；步骤7：在光刻胶上蒸发栅极金属；步骤8：去除光刻胶,在介质钝化层的沟槽和栅头图形上形成三维T型的金属电极。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Application Date | 2010-12-15 |
| Patent Number | CN102157361A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010605875.6 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23351 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 颜伟,杜彦东,韩伟华,等. 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法, 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法. CN102157361A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极（370KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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