| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法; SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 | |
| 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-07 ; 2012-05-02 ; 2012-09-07 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种SiO2/SiN双层钝化T型栅AlGaN/GaN?HEMT,包括：一衬底,在衬底上依次生长GaN缓冲层、GaN本征层和AlGaN势垒层；源漏电极,该源漏电极制作在势垒层上面的两侧；一下钝化层,制作在源漏电极之间及势垒层的上面；一上钝化层,制作在源漏电极之间及下钝化层的上面；其中该下钝化层和上钝化层的中间有一条形栅槽；一栅电极,其断面为T形,制作在该下钝化层和上钝化层的条形栅槽内,栅电极上部高于上钝化层的表面。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Application Date | 2011-12-01 |
| Patent Number | CN102437182A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110392863.4 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23342 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杜彦东,韩伟华,颜伟,等. SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法, SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法. CN102437182A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| SiO2_SiN双层钝化层T型栅AlGa（344KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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