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| 在衬底上生长异变缓冲层的方法; 在衬底上生长异变缓冲层的方法 | |
| 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-08-29 ; 2011-09-21 ; 2012-08-29 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法,包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层,形成基片；步骤5：对基片进行降温处理,完成在衬底上生长异变缓冲层的制备。 |
| metadata_83 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| Application Date | 2011-05-11 |
| Patent Number | CN102194671A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110121899.9 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23328 |
| Collection | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 贺继方,尚向军,倪海桥,等. 在衬底上生长异变缓冲层的方法, 在衬底上生长异变缓冲层的方法. CN102194671A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 在衬底上生长异变缓冲层的方法.pdf（309KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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