SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
在衬底上生长异变缓冲层的方法; 在衬底上生长异变缓冲层的方法
贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-08-29 ; 2011-09-21 ; 2012-08-29
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上生长缓冲层;步骤3:在缓冲层上生长异变缓冲层;步骤4:在异变缓冲层生长外延层,形成基片;步骤5:对基片进行降温处理,完成在衬底上生长异变缓冲层的制备。
metadata_83半导体超晶格国家重点实验室
Application Date2011-05-11
Patent NumberCN102194671A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110121899.9
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23328
Collection半导体超晶格国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
贺继方,尚向军,倪海桥,等. 在衬底上生长异变缓冲层的方法, 在衬底上生长异变缓冲层的方法. CN102194671A.
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