碳化硅PIN微结构的制作方法; 碳化硅PIN微结构的制作方法 | |
孙国胜; 吴海雷![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种碳化硅PiN微结构的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一n型碳化硅衬底;步骤2:对n型碳化硅衬底的表面进行氢气刻蚀;步骤3:在n型碳化硅衬底上生长n-型变浓度缓冲层;步骤4:在n-型变浓度缓冲层上外延生长本征外延层;步骤5:采用离子注入法,在本征外延层上制备P型层;步骤6:退火,完成碳化硅PIN微结构的制作。 |
metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
Application Date | 2011-06-28 |
Patent Number | CN102254798A |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201110177841.6 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23315 |
Collection | 半导体材料科学中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 孙国胜,吴海雷,郑柳,等. 碳化硅PIN微结构的制作方法, 碳化硅PIN微结构的制作方法. CN102254798A. |
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碳化硅PIN微结构的制作方法.pdf(312KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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