| 碳化硅PIN微结构的制作方法; 碳化硅PIN微结构的制作方法 | |
孙国胜; 吴海雷 ; 郑柳; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果
| |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种碳化硅PiN微结构的制作方法,包括如下步骤：步骤1：取一n型碳化硅衬底；步骤2：对n型碳化硅衬底的表面进行氢气刻蚀；步骤3：在n型碳化硅衬底上生长n-型变浓度缓冲层；步骤4：在n-型变浓度缓冲层上外延生长本征外延层；步骤5：采用离子注入法,在本征外延层上制备P型层；步骤6：退火,完成碳化硅PIN微结构的制作。 |
| metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
| Application Date | 2011-06-28 |
| Patent Number | CN102254798A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110177841.6 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23315 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孙国胜,吴海雷,郑柳,等. 碳化硅PIN微结构的制作方法, 碳化硅PIN微结构的制作方法. CN102254798A. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 碳化硅PIN微结构的制作方法.pdf（312KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment