| 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头; 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头 | |
| 冉军学; 胡强; 梁勇; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头,包括：一混气室,该混气室为一桶状,在混气室的上面或侧面连通有多个进气通道；一冷却匀气喷头,固接于混气室的下面。其中冷却匀气喷头包括：一上盖板、一下盖板和侧壁,该上盖板、一下盖板和侧壁构成密封的空间,该上盖板和下盖板之间贯通有多个进气通道,该进气通道的周围及上盖板和下盖板之间为冷却通道。 |
| metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
| Application Date | 2011-12-29 |
| Patent Number | CN102492937A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110451659.5 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23308 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 冉军学,胡强,梁勇,等. 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头, 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头. CN102492937A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋（573KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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