| 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法; 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法 | |
| 霍永恒; 马文全; 种明; 张艳华; 陈良惠 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 ; 2011-08-31 ; 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种电压调制型中长波双色量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，在第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和下接触电极，分别制作在第三半导体GaAs接触上和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。 |
| metadata_83 | 纳米光电子实验室 |
| Patent Number | CN200910081984.X |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910081984.X |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22453 |
| Collection | 纳米光电子实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 霍永恒,马文全,种明,等. 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法, 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法. CN200910081984.X. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910081984.X.pdf（624KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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