| 10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法 | |
刘小宇; 马文全 ; 张艳华; 种明
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明提供一种10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法，包括如下步骤：(A)将一衬底烘干、脱氧，以其作为量子阱红外探测器的承载体；(B)利用外延设备在衬底上依次生长N型掺杂的下欧姆接触层、量子阱层，以及N型掺杂的上欧姆接触层；(C)采用光刻及湿法刻蚀技术，将量子阱层及上欧姆接触层的一侧刻蚀，使下欧姆接触层的一侧形成一台面；(D)采用机械抛光的方法，将衬底及下欧姆接触层远离台面的一侧抛成45°抛角，形成入射光窗口；(E)烘干；(F)在上欧姆接触层的表面压焊第一n型电极；(G)在下欧姆接触层一侧形成的台面上压焊第二n型电极。 |
| metadata_83 | 纳米光电子实验室 |
| Patent Number | CN201010171382.6 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010171382.6 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22435 |
| Collection | 纳米光电子实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘小宇,马文全,张艳华,等. 10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法. CN201010171382.6. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010171382.6.pdf（355KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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