一种复合膜片压力传感器结构 | |
王晓东; 樊中朝; 季安; 邢波; 杨富华 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种复合膜片压力传感器结构,包括:一单晶硅层,该单晶硅层的一面为凹型;一多孔硅层,该多孔硅层生长在单晶硅层凹型的内表面。本发明在不影响低量程传感器灵敏度的前提下,采用多孔硅和单晶硅复合膜片,减小膜片的非线性形变,从而减小膜片挠度,最终达到提高低量程传感器灵敏度或降低非线性的目的。 |
metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
Patent Number | CN200810224110.0 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200810224110.0 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22417 |
Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王晓东,樊中朝,季安,等. 一种复合膜片压力传感器结构. CN200810224110.0. |
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