| 一种纳米尺寸相变存储器的制作方法 | |
| 张加勇; 王晓峰; 田晓丽; 杨富华; 王晓东 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种纳米尺寸相变存储器的制作方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属NANOGAP，最后再一次利用侧墙工艺制备出一条纳米尺寸的相变材料，纳米相变条填充在金属隙缝中，钝化开孔引出电极，最后制备出了纳米尺寸的相变存储器件。本发明不仅避免了使用电子束曝光的成本高、周期长的缺陷，只采用光刻和两步侧墙工艺，便制备出了纳米尺寸的相变存储器，在突破光刻分辨率限制及提高器件制备效率等方面具有很大的优越性；而且还避免了淀积和干法刻蚀侧墙基底的工艺，具有很大的优越性。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN200810240934.7 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200810240934.7 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22411 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张加勇,王晓峰,田晓丽,等. 一种纳米尺寸相变存储器的制作方法. CN200810240934.7. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200810240934.7.pdf（1202KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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