| 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 | |
李艳 ; 杨富华; 裴为华
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法，该方法包括：步骤1：在二氧化硅样品表面制备光刻胶掩膜；步骤2：对光刻胶掩膜进行梯度升温坚膜；步骤3：采用ICP干法刻蚀二氧化硅样品。本发明以光刻胶为掩膜进行二氧化硅深刻蚀，具有工艺简单快捷，选择比高，刻蚀深度可达25微米，刻蚀形貌好，侧壁陡直等优点。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN200910081225.3 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910081225.3 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22401 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李艳,杨富华,裴为华. 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法. CN200910081225.3. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910081225.3.pdf（351KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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