| 一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 |
| 樊晶美; 王良臣; 刘志强
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法，使用选择性合金电镀方法制备垂直结构发光二极管，利用光阻材料在P型氮化镓面跑道内进行填充，使用选择性电镀工艺制备镍钨合金支撑衬底，利用激光剥离蓝宝石衬底，得到垂直结构发光二极管。本发明使用电镀镍钨合金的方法制备垂直结构发光二极管中的支撑衬底，从而改变了蓝宝石衬底较差的导电和散热性能对发光二极管电学以及光学性能的影响，同时减小了衬底与氮化镓之间的热失配度的差别。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 专利号 | CN200910081093.4
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910081093.4
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22399
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
樊晶美,王良臣,刘志强. 一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法. CN200910081093.4.
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