| 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法 |
| 唐龙娟; 杨晋玲; 解婧 ; 李艳; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法，该方法包括：步骤1：对衬底进行清洗；步骤2：在衬底上淀积二氧化硅薄膜；步骤3：在淀积有薄膜的衬底上涂敷光刻胶，进行光刻；步骤4：对光刻胶进行减薄处理；步骤5：高温坚膜；步骤6：对光刻后的衬底进行DRIE干法刻蚀。本发明只需要一次光刻、刻蚀工艺就能获得倾斜的二氧化硅侧壁形貌，方法简单快捷，普适性强。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 专利号 | CN200910081983.5
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910081983.5
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22397
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
唐龙娟,杨晋玲,解婧,等. 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法. CN200910081983.5.
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