| 制作纳米尺寸间距的电极的方法 | |
| 张加勇; 王晓峰; 杨富华; 王晓东 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种制作纳米尺寸间距的电极的方法，该方法包括：在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层；在该电热绝缘材料层上淀积一层基底材料层并用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和去除基底材料层的上面及侧壁淀积侧墙材料层；采用干法回刻，去除基底材料层上表面的侧墙材料层及电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；用恒温TMAH溶液去除基底材料层，从而只保留下纳米尺寸的侧墙；最后采用光刻+剥离工艺或者光刻+干法刻蚀工艺在该侧墙材料层的相对两侧边上搭上一条制作纳米尺寸间距的电极的金属层；用湿法腐蚀方法去除侧墙同时剥离掉附着在侧墙材料层上的金属层，形成纳米尺寸间距的电极。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN200910087128.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910087128.5 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22393 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张加勇,王晓峰,杨富华,等. 制作纳米尺寸间距的电极的方法. CN200910087128.5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910087128.5.pdf（453KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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