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制作纳米管道的方法
张加勇; 王晓峰; 杨富华; 王晓东
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种制作纳米管道的方法,包括如下步骤:在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层;在该电热绝缘材料层上淀积一层基底材料层并用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边,形成图形作为制备侧墙的基底;在该电热绝缘材料层的上面和去除基底材料层的上面及侧壁淀积侧墙材料层;采用干法回刻,去除基底材料层上表面的侧墙材料层及电热绝缘材料层表面的侧墙材料层,形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙;用湿法腐蚀的方法去除基底材料层,只保留纳米尺寸的侧墙;采用光刻+剥离工艺或者光刻+干法刻蚀工艺在该侧墙材料层的相对两侧边上搭上一条制作纳米管道的抗腐蚀材料层;用湿法腐蚀方法去除侧墙同时留下抗腐蚀材料层,形成纳米尺寸的管道。
部门归属半导体集成技术工程研究中心
专利号CN200910087127.0
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910087127.0
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22391
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张加勇,王晓峰,杨富华,等. 制作纳米管道的方法. CN200910087127.0.
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