| 一种纳米尺寸金属插塞电极阵列的制备方法 | |
| 王晓峰; 张加勇; 王晓东; 季安; 杨富华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种应用于相变存储器的纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作方法，包括：在衬底上淀积金属，作为相变存储器的下电极，接着在下电极上制备一层绝缘材料；在绝缘材料上，采用光刻方法制备金属插塞电极阵列的小孔，孔底部为在衬底上淀积的金属；采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属；采用化学镀方法制作纳米尺寸的金属插塞电极阵列，作为相变存储器的下电极加热层；淀积相变材料；淀积金属，作为相变存储器的上电极；光刻、干法刻蚀顶部金属形成顶部电极图形；钝化开孔，引出电极，完成纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作。本发明避免了溅射、电镀、CVD等传统小孔填充方法的小孔填充质量不好、成本高等缺陷，并将其应用于相变存储器电极加热层的制造中。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN200910091398.3 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910091398.3 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22389 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王晓峰,张加勇,王晓东,等. 一种纳米尺寸金属插塞电极阵列的制备方法. CN200910091398.3. |
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| CN200910091398.3.pdf（759KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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