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对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液
刘雯; 李越强; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液,该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3~4ml的双氧水,实现了对Al组分为0.8~0.9的砷化镓太阳电池帽层Al0.8~0.9GaAs/GaAs的选择性腐蚀。本发明提供的这种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液,具有高的选择性腐蚀,能够实现GaAs太阳电池帽层选择腐蚀的目的,并且腐蚀液配制方便,具有很好的重复性。
部门归属半导体集成技术工程研究中心
专利号CN200910237097.7
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910237097.7
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22379
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
刘雯,李越强,王晓东,等. 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液. CN200910237097.7.
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