| 纳流体晶体管的制备方法 |
| 张加勇; 王晓峰; 王晓东; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种纳流体晶体管的制备方法，包括：在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；去除基底材料层；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作纳流管道的抗腐蚀绝缘材料层；再在抗腐蚀绝缘材料层上搭上一条制作栅电极的抗腐蚀的金属层；去除侧墙材料层，保留抗腐蚀绝缘材料层和抗腐蚀的金属层，形成一纳流管道，并注入纳流体；钝化并在管道两端和金属层上方开孔，引出三端电极即形成纳流体晶体管。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 专利号 | CN200910237096.2
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910237096.2
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22377
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张加勇,王晓峰,王晓东,等. 纳流体晶体管的制备方法. CN200910237096.2.
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