| 一种平面相变存储器的制备方法; 一种平面相变存储器的制备方法 | |
| 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 ; 2011-08-31 ; 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种平面相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在衬底上生长一层绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成侧墙的基底；在其表面及侧面淀积侧墙材料层；采用干法回刻形成侧墙；用湿法腐蚀去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在其表面制备一层绝缘材料层，将侧墙和金属层包裹在其中；抛光上表面的同时切断侧墙两旁的金属层的连接；化学机械抛光的截止面位于平面处的金属层的表面，即使得平面处的金属层全部露出；再在露出的纳米间距的金属电极上横跨上一条相变材料；最后在表面淀积一层绝缘材料，再在纳米间距的金属电极两边的金属层上开孔，并引出电极即可形成平面相变存储器。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN201010115649.X |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010115649.X |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22371 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张加勇,王晓峰,马慧莉,等. 一种平面相变存储器的制备方法, 一种平面相变存储器的制备方法. CN201010115649.X. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种平面相变存储器的制备方法.pdf（1181KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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