| 一种相变存储器的制作方法 | |
马慧莉 ; 王晓峰; 王晓东; 杨富华
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种相变存储器的制作方法，该方法包括：步骤1：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层；步骤2：在第一绝缘材料层上淀积一层金属层，作为相变存储器的下电极；步骤3：在金属层上制备一层相变材料层；步骤4：在相变材料层上用薄膜淀积工艺淀积一层第二绝缘材料层；步骤5：在第二绝缘材料层上采用微纳加工技术制备金属插塞电极的小孔；步骤6：采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属作为插塞电极；步骤7：在第二绝缘材料层上淀积一层金属材料，作为相变存储器的上电极；步骤8：在金属材料上淀积一层第三绝缘材料层；步骤9：在第三绝缘材料层上钝化开孔；步骤10：在第三绝缘材料层上和钝化开孔内，再淀积一层金属电极层，完成相变存储器的制作。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN201010139182.2 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010139182.2 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22367 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 马慧莉,王晓峰,王晓东,等. 一种相变存储器的制作方法. CN201010139182.2. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010139182.2.pdf（514KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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