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平面相变存储器的制备方法
张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种平面相变存储器的制备方法,包括:在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层,相变材料层和基底材料层;去除基底材料层的四边,形成基底;在相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层;去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层,在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙;去除基底材料层,只保留纳米尺寸的侧墙;去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料,从而形成由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙;在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层;去除侧墙以及侧墙表面上的金属层,从而形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极;最后淀积一层绝缘材料,再在nano-gap电极两边的金属层上开孔并引出电极,完成平面相变存储器的制作。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Patent NumberCN201010283557.2
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010283557.2
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22347
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
张加勇,王晓峰,马慧莉,等. 平面相变存储器的制备方法. CN201010283557.2.
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