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利用氧化锌提高LED光提取效率的方法
刘祯; 段垚; 王晓峰; 曾一平
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种利用氧化锌提高LED光提取效率的方法,包括以下步骤:步骤1:取一GaN基发光二极管外延片;步骤2:在GaN基发光二极管外延片的出光面上生长一层ZnO单晶薄膜;步骤3:利用湿法化学腐蚀的方法,腐蚀ZnO单晶薄膜的表面,使ZnO单晶薄膜的表面在位错处出现腐蚀坑;步骤4:光刻生长有ZnO单晶薄膜的GaN基发光二极管外延片,在GaN基LED外延片上形成重复的LED基本结构单元,刻蚀LED基本结构单元的一侧形成一台面,制作出LED的基本芯片结构;步骤5:在LED的基本芯片结构的台面上制作n电极,在ZnO单晶薄膜的表面上或出光面上制作p电极,完成器件的制作。
部门归属半导体材料科学中心
专利号CN200910084159.5
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910084159.5
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22331
专题半导体材料科学中心
推荐引用方式
GB/T 7714
刘祯,段垚,王晓峰,等. 利用氧化锌提高LED光提取效率的方法. CN200910084159.5.
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