| Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 | |
| 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 杨翠柏; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层；步骤4：在非掺杂薄层上生长n型GaN基材料。 |
| metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
| Patent Number | CN200910236706.7 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910236706.7 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22325 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 冉军学,王晓亮,李建平,等. Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法. CN200910236706.7. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910236706.7.pdf（328KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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