| 金属有机物化学沉积设备的反应室 | |
冉军学; 王晓亮; 胡国新; 肖红领; 殷海波 ; 张露; 李晋闽
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室，包括：反应室腔体；与腔体连通的反应气及载气进气法兰；设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托；与腔体连通的尾气管路；对衬托进行加热的加热器；和使得衬托旋转的旋转装置，其中所述反应室还包括调距装置，所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节，从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性，改善晶体质量和半导体外延片均匀性。 |
| metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
| Patent Number | CN201010033963.3 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010033963.3 |
| Patent Agent | 王新华 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22315 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 冉军学,王晓亮,胡国新,等. 金属有机物化学沉积设备的反应室. CN201010033963.3. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010033963.3.pdf（427KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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