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金属有机物化学沉积设备的反应室
冉军学; 王晓亮; 胡国新; 肖红领; 殷海波; 张露; 李晋闽
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室,包括:反应室腔体;与腔体连通的反应气及载气进气法兰;设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托;与腔体连通的尾气管路;对衬托进行加热的加热器;和使得衬托旋转的旋转装置,其中所述反应室还包括调距装置,所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节,从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性,改善晶体质量和半导体外延片均匀性。
metadata_83半导体材料科学中心
Patent NumberCN201010033963.3
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010033963.3
Patent Agent王新华
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22315
Collection半导体材料科学中心
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GB/T 7714
冉军学,王晓亮,胡国新,等. 金属有机物化学沉积设备的反应室. CN201010033963.3.
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