| 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 | |
魏萌; 王晓亮; 潘旭 ; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一大失配衬底；步骤2：在大失配衬底上生长一层氮化物复合缓冲层，该氮化物复合缓冲层可以缓解晶格失配，并且阻止回熔刻蚀反应；步骤3：在氮化物复合缓冲层上生长一层GaN过渡层；步骤4：在GaN过渡层上生长一组超晶格，该超晶格可以释放部分张应力，并能过滤穿透位错；步骤5：在超晶格上面生长GaN外延层，完成GaN薄膜的制备。 |
| metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
| Patent Number | CN201010128376.2 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010128376.2 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22305 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 魏萌,王晓亮,潘旭,等. 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法. CN201010128376.2. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010128376.2.pdf（264KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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