在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 | |
魏萌; 王晓亮; 潘旭![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法,包括如下步骤:步骤1:选择一大失配衬底;步骤2:在大失配衬底上生长一层氮化物复合缓冲层,该氮化物复合缓冲层可以缓解晶格失配,并且阻止回熔刻蚀反应;步骤3:在氮化物复合缓冲层上生长一层GaN过渡层;步骤4:在GaN过渡层上生长一组超晶格,该超晶格可以释放部分张应力,并能过滤穿透位错;步骤5:在超晶格上面生长GaN外延层,完成GaN薄膜的制备。 |
metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
Patent Number | CN201010128376.2 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010128376.2 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22305 |
Collection | 半导体材料科学中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 魏萌,王晓亮,潘旭,等. 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法. CN201010128376.2. |
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