| 采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法 |
| 王晓峰; 杨华 ; 刘祯; 曾一平; 王国宏
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法，包括：第一步，生长缓冲层；第二步，生长电极层；其中，生长缓冲层时金属舟的温度比生长电极层低30至200℃；生长缓冲层时金属舟的载气流量是生长电极层时的1/10至1倍；生长缓冲层时衬底的温度比生长电极层时高0至150℃。利用本发明，有效改善了氧化锌透明电极的界面性质，降低了LED的工作电压和串联电阻。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 专利号 | CN201010143078.0
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010143078.0
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22301
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王晓峰,杨华,刘祯,等. 采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法. CN201010143078.0.
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