| 采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法 | |
王晓峰; 杨华 ; 刘祯; 曾一平; 王国宏
| |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法，包括：第一步，生长缓冲层；第二步，生长电极层；其中，生长缓冲层时金属舟的温度比生长电极层低30至200℃；生长缓冲层时金属舟的载气流量是生长电极层时的1/10至1倍；生长缓冲层时衬底的温度比生长电极层时高0至150℃。利用本发明，有效改善了氧化锌透明电极的界面性质，降低了LED的工作电压和串联电阻。 |
| metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
| Patent Number | CN201010143078.0 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010143078.0 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22301 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王晓峰,杨华,刘祯,等. 采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法. CN201010143078.0. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010143078.0.pdf（293KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment