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一种化学气相沉积装置
段瑞飞; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种化学气相沉积装置,该装置包括多个独立的生长室,该多个独立的生长室位于一箱体之内,使用机械臂进行样品的传递,分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长,以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明,解决了现有化学气相沉积尤其是MOCVD装置单反应室一次生长结构材料导致的化学气相沉积装置复杂、沉积工艺复杂,受到影响因素较多,工艺可重复性差,可推广性差,同时工艺周期长,生产效率低下等问题。
部门归属半导体材料科学中心
专利号CN201010162506.4
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010162506.4
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22299
专题半导体材料科学中心
推荐引用方式
GB/T 7714
段瑞飞,曾一平,王军喜,等. 一种化学气相沉积装置. CN201010162506.4.
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