| 一种制备高速电吸收调制器的方法 | |
张伟; 潘教青 ; 汪洋; 朱洪亮
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种制备高速电吸收调制器的方法，采用量子阱混杂方法，一次外延生长实现有源波导与无源波导集成，同时采用行波电极以进一步提高调制速率，具有高调制速率、低插入损耗、高光饱和吸收功率和偏振不灵敏等特性。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 专利号 | CN200810225782.3 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200810225782.3 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22293 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张伟,潘教青,汪洋,等. 一种制备高速电吸收调制器的方法. CN200810225782.3. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200810225782.3.pdf（681KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [张伟]的文章 |
| [潘教青]的文章 |
| [汪洋]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [张伟]的文章 |
| [潘教青]的文章 |
| [汪洋]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [张伟]的文章 |
| [潘教青]的文章 |
| [汪洋]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论