| 一种制备高速电吸收调制器的方法 | |
张伟; 潘教青 ; 汪洋; 朱洪亮
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种制备高速电吸收调制器的方法，采用量子阱混杂方法，一次外延生长实现有源波导与无源波导集成，同时采用行波电极以进一步提高调制速率，具有高调制速率、低插入损耗、高光饱和吸收功率和偏振不灵敏等特性。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN200810225782.3 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200810225782.3 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22293 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张伟,潘教青,汪洋,等. 一种制备高速电吸收调制器的方法. CN200810225782.3. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200810225782.3.pdf（681KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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