一种制备高速电吸收调制器的方法
张伟; 潘教青; 汪洋; 朱洪亮
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种制备高速电吸收调制器的方法,采用量子阱混杂方法,一次外延生长实现有源波导与无源波导集成,同时采用行波电极以进一步提高调制速率,具有高调制速率、低插入损耗、高光饱和吸收功率和偏振不灵敏等特性。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN200810225782.3
语种中文
专利状态公开
申请号CN200810225782.3
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22293
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
张伟,潘教青,汪洋,等. 一种制备高速电吸收调制器的方法. CN200810225782.3.
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