| 生长氧化锌薄膜材料的方法 |
| 王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种生长氧化锌薄膜材料的方法，包括：选用硅单晶基片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；选用甲醇作为氧源，二乙基锌作为锌源；将清洗过的硅衬底放在MOCVD设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空后再充氮气升压，如此反复两次，以排净反应室中的空气；充氮气将反应室升压至适合生长的压强；将衬底升温至适合氧化锌生长的温度；打开反应室衬底底座旋转开关，使得衬底匀速旋转；在MOCVD设备中利用载气从衬底侧面通入二乙基锌，在硅衬底上生长一层锌隔离层；在MOCVD设备中利用载气从衬底顶部通入甲醇，使之与锌源反应在锌隔离层上得到氧化锌薄膜外延层；关闭锌源和氧源载气，待反应室压强升至常压，温度降至常温后从MOCVD设备中取出氧化锌样品。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN200910079800.6
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910079800.6
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22273
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王振华,刘祥林,杨少延,等. 生长氧化锌薄膜材料的方法. CN200910079800.6.
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