| 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 | |
| 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明一种锰掺杂锑化镓单晶的化学腐蚀方法，其中包括以下步骤：步骤1：取一单晶片体，使用抛光粉对单晶片体进行机械抛光；步骤2：再将机械抛光后的单晶片体使用试剂进行化学抛光；步骤3：对机械抛光和化学抛光后的单晶片体，进行化学腐蚀。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN200910081473.8 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910081473.8 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22271 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陈晓锋,陈诺夫,吴金良,等. 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法. CN200910081473.8. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910081473.8.pdf（285KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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