用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构 | |
刘王来; 叶小玲![]() ![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 本发明公开了一种用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构,包括:一N型砷化镓衬底;一N型砷化镓缓冲层,生长在N型砷化镓衬底上,用于隔离衬底上的缺陷;一N型铝镓砷光学下限制层,生长在N型砷化镓缓冲层上,用于光学模式和载流子的限制;一多层不同周期的自组织量子点有源层,生长在N型铝镓砷光学下限制层上;一P型铝镓砷光学上限制层,生长在该量子点有源层上,用于光学模式和载流子的限制;以及一P型砷化镓帽层,生长在该P型铝镓砷光学上限制层上,用于电极接触。该结构利用多层不同尺寸设计的量子点的非均匀展宽特性,获得宽的增益谱。 |
metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Patent Number | CN200910081987.3 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200910081987.3 |
Patent Agent | 周国城 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22269 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘王来,叶小玲,徐波,等. 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构. CN200910081987.3. |
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