| 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构 | |
刘王来; 叶小玲 ; 徐波; 王占国
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构，包括：一N型砷化镓衬底；一N型砷化镓缓冲层，生长在N型砷化镓衬底上，用于隔离衬底上的缺陷；一N型铝镓砷光学下限制层，生长在N型砷化镓缓冲层上，用于光学模式和载流子的限制；一多层不同周期的自组织量子点有源层，生长在N型铝镓砷光学下限制层上；一P型铝镓砷光学上限制层，生长在该量子点有源层上，用于光学模式和载流子的限制；以及一P型砷化镓帽层，生长在该P型铝镓砷光学上限制层上，用于电极接触。该结构利用多层不同尺寸设计的量子点的非均匀展宽特性，获得宽的增益谱。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN200910081987.3 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910081987.3 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22269 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘王来,叶小玲,徐波,等. 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构. CN200910081987.3. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910081987.3.pdf（440KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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