SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室
用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构
刘王来; 叶小玲; 徐波; 王占国
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构,包括:一N型砷化镓衬底;一N型砷化镓缓冲层,生长在N型砷化镓衬底上,用于隔离衬底上的缺陷;一N型铝镓砷光学下限制层,生长在N型砷化镓缓冲层上,用于光学模式和载流子的限制;一多层不同周期的自组织量子点有源层,生长在N型铝镓砷光学下限制层上;一P型铝镓砷光学上限制层,生长在该量子点有源层上,用于光学模式和载流子的限制;以及一P型砷化镓帽层,生长在该P型铝镓砷光学上限制层上,用于电极接触。该结构利用多层不同尺寸设计的量子点的非均匀展宽特性,获得宽的增益谱。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Patent NumberCN200910081987.3
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910081987.3
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22269
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
刘王来,叶小玲,徐波,等. 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构. CN200910081987.3.
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