| 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 | |
陆全勇; 张伟; 王利军; 刘俊岐; 李路 ; 刘峰奇; 王占国
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法，其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一InP衬底；一InP波导限制层制作在InP衬底上；一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上；一应变补偿有源层制作在InGaAs下波导层上；一InGaAs上波导层制作在应变补偿有源层上；一二维长方光子晶体点阵图形制作在InGaAs上波导层中；一InP盖层制作在InGaAs上波导层上；一接触层制作在盖层上，形成二次外延片；在该二次外延片的表面向下刻蚀有V形双沟道，形成斜形脊状波导，该V形双沟道的深度到达限制层内；一二氧化硅层制作在V形双沟道及接触层的表面，接触层表面的二氧化硅层的中间开有一电流注入窗口；一正面电极制作在刻蚀后的二次外延片的表面；一金属金层制作在正面电极上，且填满两个V形双沟道；一合金电极制作在InP衬底的背面。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN200910092876.2 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910092876.2 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22257 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陆全勇,张伟,王利军,等. 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法. CN200910092876.2. |
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| CN200910092876.2.pdf（676KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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