| 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 | |
施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋 ; 尹志岗; 吴金良; 张汉
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一石墨衬底，将石墨衬底抛光；步骤2：在磁控溅射室里，将抛光的石墨衬底磁控溅射多晶硅薄膜；步骤3：溅射结束后自然降温，形成样品；步骤4：将样品置于快速热退火炉里，快速退火，完成多晶硅薄膜的制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN200910242346.1 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910242346.1 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22235 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 施辉伟,陈诺夫,黄添懋,等. 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法. CN200910242346.1. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910242346.1.pdf（244KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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