利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 | |
施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋![]() ![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法,包括如下步骤:步骤1:选择一石墨衬底,将石墨衬底抛光;步骤2:在磁控溅射室里,将抛光的石墨衬底磁控溅射多晶硅薄膜;步骤3:溅射结束后自然降温,形成样品;步骤4:将样品置于快速热退火炉里,快速退火,完成多晶硅薄膜的制作。 |
metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Patent Number | CN200910242346.1 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200910242346.1 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22235 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 施辉伟,陈诺夫,黄添懋,等. 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法. CN200910242346.1. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
CN200910242346.1.pdf(244KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment