Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 | |
杨晓丽; 陈诺夫; 尹志岗![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 本发明提供一种Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法,包括如下步骤:步骤1:采用射频磁控溅射方法,将纯度为4N以上的ZnO和高纯Cu粉末混合压制成所需靶材;步骤2:在氩气和氧气混合气体环境中将靶材溅射沉积在衬底之上形成薄膜;步骤3:将形成薄膜的衬底进行退火处理,得到Cu掺杂的p型ZnO薄膜材料。本发明可以解决IB族元素难于实现p型ZnO材料制备的难题。 |
metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Patent Number | CN201010106765.5 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010106765.5 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22227 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 杨晓丽,陈诺夫,尹志岗. Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法. CN201010106765.5. |
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